英特爾承接聯(lián)發(fā)科天璣SoC代工訂單，系雙方首次合作

2月10日消息，據(jù)媒體最新報道，聯(lián)發(fā)科天璣系列芯片將由英特爾代工生產(chǎn)，該消息在半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)引起了廣泛關(guān)注。此前蘋果已初步確定采用英特爾18A工藝，如今英特爾似乎又成功爭取到了第二大客戶聯(lián)發(fā)科，后者預(yù)計將選用英特爾14A工藝。

眾所周知，蘋果或許會選用英特爾的18A-P工藝來打造入門級M系列芯片，該芯片最早有望在2027年實現(xiàn)出貨。不僅如此，蘋果計劃于2028年推出的定制化ASIC，將采用英特爾的EMIB封裝技術(shù)?，F(xiàn)階段蘋果已和英特爾簽訂保密協(xié)議，并且拿到了其18A-P工藝的PDK樣本，用于開展評估工作。

值得注意的是，英特爾的18A-P工藝是其首個支持Foveros Direct 3D混合鍵合技術(shù)的節(jié)點，該技術(shù)允許通過硅通孔實現(xiàn)多個芯粒的堆疊。

現(xiàn)在有一個大膽的傳聞稱，英特爾已成功拉攏到另一個14A工藝的客戶聯(lián)發(fā)科。不過，將英特爾的14A工藝應(yīng)用于聯(lián)發(fā)科天璣系列等移動芯片并非易事。英特爾決定在18A和14A節(jié)點上全力押注背面供電技術(shù)，雖然這項決策能顯著提升性能，但也會帶來嚴(yán)重的自發(fā)熱效應(yīng)。

由于手機內(nèi)部空間極為有限，這種自發(fā)熱現(xiàn)象對移動端Soc而言是一大嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，或許需要額外的散熱手段才能保障其穩(wěn)定運行。倘若雙方能順利突破這一技術(shù)難關(guān)，聯(lián)發(fā)科與英特爾開展深度合作的可能性也并非不存在。